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低壓驅(qū)動電光調(diào)制器

橫向場ADP、KD*P和鈮酸鋰類似物調(diào)制器

ADP

ADP調(diào)制器可以被設計為在從UV到可見光直至900nm左右的所有波長下工作，并且基本上不受壓電諧振的影響。這種調(diào)制器類型具有高度的溫度穩(wěn)定性，但如果需要長期直流振幅，則應在恒溫環(huán)境中運行。調(diào)制頻率不受器件特性的限制，而受其電容的限制，因此取決于所使用的驅(qū)動電路。寬帶AR涂層用于所有組件，或者我們可以提供流體填充版本，包括超高傳輸類型。

ADP設計的一個特點是，由于光學傳播不是沿著對稱軸進行的，所以普通偏振光會“走光”，因此有必要使用四個匹配的晶體，適當?shù)囟ㄏ颍匝a償走光和靜態(tài)雙折射。這確實會對最大傳輸產(chǎn)生輕微影響，因為與其他調(diào)制器類型相比，晶體表面的數(shù)量是前者的兩倍。

KD*P

橫向KD*P電光調(diào)制器能夠提供比ADP型更高的熱穩(wěn)定性，這主要是因為它們不需要相同的四晶體排列。透射范圍也擴展到約1200nm，并且其消光比也比從ADP對應物獲得的消光比更好。然而，它確實顯示出壓電特性，因此對于數(shù)百kHz到低MHz范圍內(nèi)的高頻調(diào)制來說不是一個很好的選擇，盡管使用諧振阻尼技術可以提高這里的性能。這些設備也可以提供干燥的適當AR涂層或流體填充，包括超高傳輸版本。

鈮酸鋰

鈮酸鋰是一種高溫生長的光學材料，與ADP和KD*P晶體不同，它不溶于水。盡管它在500nm以下（以及高達~800nm，請注意僅使用低光功率）無法安全運行，但在該范圍以上，它具有良好的透明度，可達~4μm。為了獲得最佳的熱穩(wěn)定性，最好使用Z形切割晶體，這是我們的標準設計，并且沒有需要補償?shù)撵o態(tài)雙折射。然而，使用雙折射補償X切割設計可以獲得更高的靈敏度。這種切割也用于不需要這種補償?shù)南辔徽{(diào)制器。

不幸的是，鈮酸鋰是非常強的壓電性的，這會限制其在需要良好時間性能的某些應用中的使用。電池干燥后在晶體和窗戶上涂上合適的AR涂層（盡管技術上并不總是需要，但這些涂層用于密封電池以防灰塵等）

應用

通過使用較低的工作電壓，可以更容易地找到具有足夠帶寬的驅(qū)動器。對于EM200系列調(diào)制器，M250通常足以提供完整的調(diào)制（但最長波長僅為~700nm）。對于較大的EM400和EM600設備，可以使用較新的M1000甚至M2500放大器，但這些放大器的帶寬確實略為有限。原理應用通常是需要真正的模擬調(diào)制（任意波形）的任何地方，例如產(chǎn)生任意偏振旋轉(zhuǎn)（需要額外的波片來保持線性偏振）。它們還可用于從需要脈沖脈沖強度控制的CW激光源產(chǎn)生脈沖輸出，這是伴隨放大器可以輕松提供的。